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1N5147

更新时间： 2024-11-23 20:28:43
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
39pF, 65V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7, GLASS PACKAGE-2

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1N5147 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DO-7包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.12最小击穿电压：65 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管电容容差：10%最小二极管电容比：3.2
标称二极管电容：39 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码：DO-7
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Not Qualified
最小质量因数：200最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：0.02 µA反向测试电压：60 V
子类别：Varactors表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
变容二极管分类：ABRUPTBase Number Matches：1

1N5147 数据手册

  
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES  
1N5139 - 1N5148  
1N5139A - 1N5148A  
PART  
NUMBER  
CAPACITANCE @ 4 Vdc  
pF  
CAPACITANCE RATIO  
C•4V / C•60V  
MIN  
MIN QUALITY FACTOR  
Q @ 4 Vdc  
MIN  
NOM  
MAX  
f = 50 MHz  
1N5139  
1N5139A  
6.12  
6.46  
6.8  
6.8  
7.48  
7.14  
2.7  
2.7  
350  
350  
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
¨
1N5140  
1N5140A  
1N5141  
1N5141A  
1N5142  
1N5142A  
1N5143  
1N5143A  
1N5144  
1N5144A  
1N5145  
1N5145A  
1N5146  
1N5146A  
1N5147  
9.0  
9.5  
10.0  
10.0  
12.0  
12.0  
15.0  
15.0  
18.0  
18.0  
22.0  
22.0  
27.0  
27.0  
33.0  
33.0  
39.0  
39.0  
47.0  
47.0  
11.0  
10.5  
13.2  
12.6  
16.5  
15.7  
19.8  
18.9  
24.2  
23.1  
29.7  
28.3  
36.3  
34.6  
42.9  
40.9  
51.7  
49.3  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
2.8  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
300  
300  
300  
300  
250  
250  
250  
250  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
10.8  
11.4  
13.5  
14.3  
16.2  
17.1  
19.8  
20.9  
24.3  
25.7  
29.7  
31.4  
36.1  
37.1  
42.3  
44.7  
1N5147A  
1N5148  
1N5148A  
Package Style  
DO-7  
DC Power Dissipation (Pd)  
Forward Current (If)  
Min Reverse Breakdown Voltage (Bvr) @ Ir = 10 µAdc  
Max Reverse Current (IR)  
Max Reverse Current (IR2)  
Temp Coefficient of Capacitance  
Operating Temperature Range (Topr)  
Storage Temperature Range (Tstg)  
Voltage Tolerance:  
400 mW  
250 mA  
65 Vdc  
20 nAdc  
@ Vr = 55 Vdc  
@ Vr = 55 Vdc; Ta = 150°C  
@ Vr=4 Vdc; Ta -40 to +85°C .03%/°C  
-65 to + 175°C  
20 µAdc  
-65 to + 200°C  
±10%  
± 5%  
Standard Device  
Suffix A  
¨
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX - JANTXV  
P.O. BOX 609 · ROCKPORT, MAINE 04856 · 207-236-6076 · FAX 207-236-9558  
1

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与1N5147相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5147A KNOX

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 		GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5147A NJSEMI

获取价格

 		DIODE
1N5147A APITECH

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 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S
1N5147A ASI

获取价格

 		Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-204AA,
1N5147ACHIP APITECH

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 		Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 60V, S
1N5147B AEROFLEX

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 		39pF, 65V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7, 2 PIN
1N5147C AEROFLEX

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1N5147CCO AEROFLEX

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 		39pF, 65V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1
1N5147CO AEROFLEX

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 		39pF, 65V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1
1N5148 ASI

获取价格

 		TUNING VARACTOR DIODE

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