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1N5106

更新时间: 2024-02-26 23:53:58
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 117K
描述
POWER ZENERS

1N5106 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.75
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:1300 Ω
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:240 V
最大反向电流:1 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:252 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:3 mABase Number Matches:1

1N5106 数据手册

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