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1N5105

更新时间: 2024-09-30 22:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
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2页 117K
描述
POWER ZENERS

1N5105 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.81
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:220 V最大反向电流:1 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:220 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:3 mABase Number Matches:1

1N5105 数据手册

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