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1N5080E3

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 108K
描述
Zener Diode, 39V V(Z), 5%, 3W, Silicon, Unidirectional,

1N5080E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
标称参考电压:39 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N5080E3 数据手册

  

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