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1N4948G

更新时间： 2024-02-01 01:31:26

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乐山 - LRC		局域网二极管
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7页	199K
描述
Glass Passivated Junction Fast Recovery Rectifiers Reverse Voltage 200 to 1000V Forward Current 1.0A

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1N4948G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.11
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	0.5 µs	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4948G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

1N4942G thru 1N4948G

1.Feature & Dimensions

* Plastic package has Underwriters Laboratory

Glass Passivated Junction

Fast Recovery Rectifiers

Flammability Classification 94V-0

* High temperature metallurgically bonded construction

* Cavity-free glass passivated junction

Reverse Voltage 200 to 1000V

Forward Current 1.0A

* Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500

* 1.0 A operation at T_A=75°C with no thermal runaway

* For use in high frequency rectifier circuits

* Fast switching for high efficiency

* Typical IR less than 1.0µA

* High temperature soldering guaranteed:

260°C/10 seconds

* 0.375" (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

2.Mechanical Data

Case: JEDEC DO-41, molded plastic body

Terminals: Plated axial leads, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight: 0.012 oz., 0.34 g

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

Handling precautin:None

3.Electrical Characteristic

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

1N49 1N49 1N49 1N49 1N49

42G 44G 46G 47G 48G

Parameter Symbol

symbol

V_RRM

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

V_RMS

V_DC

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5mm) lead length at T_A= 75°C

1.0

IF(AV)

Peak forward surge current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC

Method)

I_FSM

Typical thermal resistance (Note 2)

RθJA

°C/W

°C

–50 to +150

Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG

Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

1N49 1N49 1N49 1N49 1N49

42G 44G 46G 47G 48G

Parameter Symbol

symbol

V_F

Unit

1.3

Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A

5.0

100

Maximum DC reverse current TA = 25°C

at rated DC blocking voltage TA = 125°C

µA

150

250

Typical reverse recovery time (Note 1)

Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz

NOTES:

trr

500

1. IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A

2. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted

1/3

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4948-G	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS PACKA	获取价格
1N4948G-B	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格
1N4948GH02	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N4948GH02-1	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N4948GH02-3	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格
1N4948GH02-5	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41	获取价格

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