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1N4937G

更新时间： 2024-11-25 14:52:55
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4页 41K
描述
Axial

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1N4937G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.04Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

1N4937G 数据手册

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®
1N4933G – 1N4937G  
1.0A GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
Mechanical Data  
C
Case: DO-41, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.35 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-41  
Dim  
A
Min  
25.4  
4.06  
0.71  
2.00  
Max  
—
B
5.21  
0.864  
2.72  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
1N4933G 1N4934G 1N4935G 1N4936G 1N4937G Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
400  
280  
600  
420  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
140  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1) @TA = 75°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
30  
A
Forward Voltage  
@IF = 1.0A  
VFM  
IRM  
1.2  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
5.0  
100  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
trr  
200  
15  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
CJ  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)  
RθJA  
RθJL  
55  
25  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
3. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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与1N4937G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4937-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
1N4937G(LS) DIODES

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 		1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4937G-A ONSEMI

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 		1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4937G-B ONSEMI

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 		1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4937GH01 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4937GH02-3 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,

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