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1N4935G PDF预览

1N4935G

更新时间： 2024-02-07 06:20:57
品牌 Logo 应用领域
CTC 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

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1N4935G 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：DO-41SP, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.2 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N4935G 数据手册

 浏览型号1N4935G的Datasheet PDF文件第2页 
Compact Technology  
1N4933G thru 1N4937G  
FAST RECOVERY  
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS  
50 600  
to  
REVERSE VOLTAGE -  
FORWARD CURRENT -  
Volts  
1.0  
Ampere  
DO-41  
FEATURES  
Fast switching for high efficiency  
A
A
B
Glass passivated chip  
Low reverse leakage current  
Low forward voltage drop  
High current capability  
C
D
Plastic material has UL flammability classification  
94V-0  
DO-41  
MECHANICAL DATA  
Min.  
25.4  
4.10  
0.70  
2.00  
Max.  
-
Dim.  
A
Case : DO-41 molded plastic  
Polarity : Color band denotes cathode  
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams  
Mounting position : Any  
5.20  
0.90  
2.70  
B
C
D
All Dimensions in millimeter  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
̺
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SYMBOL  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
1N4935G  
1N4933G  
1N4934G  
1N4936G  
1N4937G  
600  
420  
600  
50  
35  
50  
100  
70  
100  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
RMS  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
Maximum Average Forward  
Rectified Current  
I
(AV)  
A
@T  
A
=
75 C  
1.0  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave  
super imposed on rated load  
A
I
FSM  
30  
Maximum forward Voltage at 1.0A DC  
V
V
F
1.3  
5.0  
100  
uA  
uA  
@T  
@T  
J
=25 C  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
I
R
J
=100 C  
T
RR  
ns  
ns  
Typical Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Reverse Recovery Time (Note 2)  
200  
130  
T
RR  
Typical Junction  
Capacitance (Note 3)  
pF  
J
C
15  
50  
Typical Thermal Resistance (Note 4)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
R
0JA  
C/W  
C
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
C
T
STG  
F
R
NOTES : 1.Measured with I =1.0A,V =30V,di/dt=50A/us.  
F
R
RR  
2.Measured with I =0.5A,I =1A,I =0.25A.  
3.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
4.Thermal Resistance Junction to Ambient.  
CTC0129 Ver. 2.0  
1 of 2  
1N4933G thru 1N4937G  
12

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与1N4935G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4935G(LS) DIODES

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 		1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4935G-A ONSEMI

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 		1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4935G-B ONSEMI

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 		1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4935GH02-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH02-2 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH03-3 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH04 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH05-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH06 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH07 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

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