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1N4935-E3/73

更新时间： 2024-02-07 23:10:25
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 674K
描述
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-204AL Ammo

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1N4935-E3/73 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.14其他特性：FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

1N4935-E3/73 数据手册

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1N4933, 1N4934, 1N4935, 1N4936, 1N4937  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Fast Switching Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Fast switching for high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DO-204AL (DO-41)  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer  
and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.0 A  
Note  
VRRM  
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V  
•
These devices are not AEC-Q101 qualified.  
IFSM  
30 A  
200 ns  
trr  
IR  
MECHANICAL DATA  
5.0 μA  
Case: DO-204AL, molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
1.2 V  
TJ max.  
Package  
Diode variation  
150 °C  
DO-204AL (DO-41)  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL 1N4933 1N4934 1N4935 1N4936 1N4937  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
145  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IFSM  
1.0  
30  
A
A
0.375" (9.5 mm) lead length at TA= 75 °C  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
Maximum reverse recovery current  
IRM  
2.0  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 50 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL 1N4933 1N4934 1N4935 1N4936 1N4937  
UNIT  
Maximum instantaneous  
1.0 A  
VF  
IR  
1.2  
V
forward voltage  
TA= 25 °C  
5.0  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
μA  
TA= 100 °C  
100  
IF = 1.0 A, VR = 30 V,  
Maximum reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
200  
12  
ns  
dI/dt = 50 A/μs, Irr = 10 % IRM  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Revision: 24-Jul-13  
Document Number: 88508  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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