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1N4933T26R

更新时间： 2024-02-15 14:40:29

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41

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1N4933T26R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.19
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4933T26R 数据手册

1N4933 - 1N4937

Features

• Low forward voltage drop.

• High surge current capability.

• High reliability.

DO-41

• High current capability.

COLOR BAND DENOTES CATHODE

Fast Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

4933

4934

4935

200

4936 4937

400 600

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

100

Average Rectified Forward Current,

.375 " lead length @ T_A= 50°C

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

1.0

I_FSM

Storage Temperature Range

-50 to +150

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

2.5

R_θJA

°C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Device

Units

4933

4934

4935

1.2

4936 4937

V_F

t_rr

Forward Voltage @ 1.0 A

Reverse Recovery Time

I_F= 0.5 A, I_R= 1.0 A, I_rr= 0.25 A

Reverse Current @ rated V_RT_A= 25°C

T_A= 125°C

150

I_R

5.0

100

µA

C_T

Total Capacitance

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4933-1N4937, Rev. C

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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