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1N4929

更新时间: 2024-11-18 22:52:11
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N4929 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.55
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:19.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:1.92 mV/ °C
最大电压容差:5%Base Number Matches:1

1N4929 数据手册

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1N4929 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4919 MICROSEMI

完全替代

19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
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完全替代

19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
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完全替代

19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

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