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1N486B

更新时间: 2024-11-02 14:53:11
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3页 215K
描述
200mA,250V Through-Hole Diode-Low Leakage Single

1N486B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.66
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:250 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N486B 数据手册

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TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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