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1N4799C

更新时间: 2024-01-24 15:47:57
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APITECH 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-14,

1N4799C 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
最小击穿电压:17 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管电容容差:2%
最小二极管电容比:1.7921标称二极管电容:82 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:15
最大重复峰值反向电压:15 V最大反向电流:0.005 µA
反向测试电压:15 V子类别:Varactors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4799C 数据手册

  

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