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1N4757B

更新时间: 2024-02-17 21:12:47
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SURGE /
页数 文件大小 规格书
4页 1501K
描述
Zener Diode,

1N4757B 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.57
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
标称参考电压:51 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

1N4757B 数据手册

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