1N4751

更新时间： 2024-01-25 09:19:41

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EIC		稳压二极管
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2页	31K
描述
SILICON ZENER DIODES

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1N4751 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.27	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	40 Ω	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	30 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
最大电压容差：	10%	工作测试电流：	8.5 mA
Base Number Matches：	1

1N4751 数据手册

SILICON ZENER DIODES

1N4728 - 1N4764

Z1110 - Z1200

DO - 41

V : 3.3 - 200 Volts

P : 1 Watt

1.00 (25.4)

FEATURES :

0.107 (2.7)

MIN.

* Complete voltage range 3.3 to 200 Volts

0.080 (2.0)

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

* Low leakage current

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

MECHANICAL DATA

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

0.028 (0.71)

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherw ise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

DC Power Dissipation at T_L= 50 C (Note1)

P_D

1.0

Watt

Maximum Forward Voltage at I_F= 200 mA

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note2)

Junction Temperature Range

V_F

1.2

Volts

K / W

R JA

170

T_J

- 55 to + 175

Storage Temperature Range

Note :

(1) TL = Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body

(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case.

Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE

1.25

1.00

0.75

0.50

L = 3/8" (9.5mm)

0.25

100

125

150

175

TL, LEAD TEMPERATURE ( C)

UPDATE : SEPTEMBER 9, 2000

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