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1N4700

更新时间： 2024-01-10 20:17:31

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商升特 - SEMTECH		二极管齐纳二极管
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2页	144K
描述
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes

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1N4700 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW LEVEL	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	13 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4700 数据手册

1N4689…1N4713

Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes

Max. 0.5

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

XXX

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

Unit

Power Dissipation

500

175

Junction Temperature

T_j

Storage Temperature Range

T_S

- 65 to + 175

Characteristics at T_a= 25 C (V_F= 1.5 V Max. at I_F= 100 mA)

Zener Voltage ¹⁾

Maximum Zener

Current ²⁾

Maximum Reverse Current

V_Z(V)

Type

Nom.

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

8.7

9.1

Min.

4.85

5.32

5.89

6.46

7.13

7.79

8.27

8.65

9.5

Max.

5.35

5.88

6.51

7.14

7.88

8.61

9.14

9.56

10.5

11.55

12.6

13.65

14.7

15.75

18.9

31.5

at I_ZT(µA)

I_R(µA)

at V_R(V)

_ZM(mA)

1N4689

1N4690

1N4691

1N4692

1N4693

1N4694

1N4695

1N4696

1N4697

1N4698

1N4699

1N4700

1N4701

1N4702

1N4705

1N4713

5.1

5.7

6.2

6.6

6.9

7.6

8.4

9.1

9.8

10.6

11.4

13.6

22.8

31.8

27.4

26.2

24.8

21.6

20.4

10.45

11.4

12.35

13.3

14.25

17.1

28.5

0.05

0.01

17.5

16.3

13.2

7.9

¹⁾Tested with pulses tp = 20 ms.

²⁾Maximum Zener current ratings are based on maximum zener voltage of the individual units.

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 05/03/2008

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