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1N4687

更新时间: 2024-11-07 13:47:51
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2页 132K
描述
4.3V,500mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level

1N4687 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.43
Is Samacsys:N其他特性:LOW LEVEL
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:0.05 mABase Number Matches:1

1N4687 数据手册

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