生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.7 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 0.5 µA | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N463AT26A | TI | 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
获取价格 |
|
1N463AT26R | TI | DIODE 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
获取价格 |
|
1N463AT50A | TI | DIODE 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
获取价格 |
|
1N463AT50R | TI | DIODE 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
获取价格 |
|
1N463AX | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
获取价格 |
|
1N464 | TI | 0.04A, SILICON, SIGNAL DIODE |
获取价格 |