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1N4575

更新时间: 2024-11-20 20:14:43
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
6.4V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE

1N4575 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.11
Is Samacsys:N其他特性:TEMPERATURE COMPENSATED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:50 ΩJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.4 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:0.64 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:2 mA
Base Number Matches:1

1N4575 数据手册

  

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