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1N4448X

更新时间： 2024-11-15 14:55:43

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	1388K
描述
SOD-523

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1N4448X 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1N4448X 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes

1N4448X FAST SWITCHING DIODE

SOD-523

FEATURES



Small Package



Low Reverse Current

Fast Switching Speed

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

MARKING: T5

The marking bar indicates the cathode

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RM

100

Peak Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

100

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

I_FM

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

500

250

I_O

I_FSM

2.0

Non-Repetitive Peak

Forward Surge Current @t=8.3ms

Power Dissipation

150

℃/W

℃

Thermal Resistance Junction to Ambient

833

R_θJA

Operation Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55~+150

Electrical Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)R

V_F1

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

IR=5μA

IR=100μA

I_F=5mA

Reverse breakdown voltage

100

0.62

0.72

1.0

Forward voltage

V_F2

I_F=100mA

V_R=20V

Reverse current

I_R

Capacitance between terminals

C_T

V_R=0V,f=1MHz

I_F=I_R=10mA

Reverse recovery time

t_rr

Irr=0.1XI_R,R_L=100Ω

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

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