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1N4448

更新时间： 2024-01-20 20:00:25

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DIOTECH		小信号开关二极管
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2页	651K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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1N4448 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N4448 数据手册

1N4148 / 1N4448

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

FEATURES

DO-34(GLASS)

DO-35(GLASS)

●

Silicon epitaxial planar diode

Switching diodes

500mw power dissipation

High temperature soldering guaranteed

●

1.0 2(26.0)

MIN.

1.0 2(26.0)

MIN.

250℃/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

0.079(2.0)

MAX

MECHANICAL DATA

0.106 (2.9)

MAX

0.165 (4.2)

MAX

Case: DO-34\DO-35 glass sealed envelope.

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight:0.003 ounce, 0.09 grams(DO-34)

0.005 ounce, 0.14 grams(DO-35)

1.0 2(26.0)

MIN.

1.0 2(26.0)

MIN.

0.020(0.52)

TYP

0.017(0.42)

TYP

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings ( T =25 C Unless otherwise noted)

Symbol

Non-Repetitive Peak Voltage

V_RM

1N4148 / 1N4448

100

Characteristic

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_PWM

V_RWM

V_R

Average Rectified Output Current ⁽¹⁾

150

2.0

I_O

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

@t=1.0us

FSM

Power Dissipation

500

300

K/W

Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Strorage Temperature Range

θJA

TSTG

-65 to +175

Electrical Characteristics ( T_A=25 C Unless otherwise noted)

Min

Unit

Characteristic

Symbol

Max

Reverse Breakdown Voltage

I_R= 100ua

(BR)R

100

Forward Voltage

1N4148

1N4448

I =10 mA

1.0

0.72

1.0

I =5 mA

0.62

I =100 mA

Leakage Current

V_R=20V

V_R=75V

µA

V_R=75V, Tj=150

Junction Capacitance

Reverse Recovery Time

TRR

I =10 mA, I =1mA, V =6V, R =100

Ω

Note: 1.Valid Provided that device Terminals are Kept at Ambient Temperature.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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