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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-MUPF-D4 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 160 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | PRESS FIT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4436FT | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4436FT | NJSEMI |
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Diode Rectifier Bridge Single 200V 10A |
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| 1N4436S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4436S | NJSEMI |
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Diode Rectifier Bridge Single 200V 10A |
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| 1N4436T | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4437 | MICROSEMI |
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Single Phase Bridge Rectifier |
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| 1N4437 | NJSEMI |
获取价格 |
10 Amp Silicon Avalanche integrated Full Wave Bridge Rectifiers |
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| 1N4437F | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4437FS | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4437FS | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A |
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