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1N4189B

更新时间: 2024-11-19 18:42:11
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1页 25K
描述
Zener Diode, 130V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41,

1N4189B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.45
其他特性:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:700 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:130 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:1.9 mABase Number Matches:1

1N4189B 数据手册

  

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