1N415HMR

更新时间： 2024-02-02 00:23:12

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ASI		微波混频二极管
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
Mixer Diode, X Band, 465ohm Z(V) Max, 6dB Noise Figure, Silicon, DO-23, HERMETIC SEALED, DO-23, 2 PIN

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1N415HMR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大阻抗：	465 Ω	最小阻抗：	335 Ω
最大噪声指数：	6 dB	最高工作温度：	150 °C
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

1N415HMR 数据手册

1N415E

SILICON MIXER DIODE

PACKAGE STYLE DO- 23

DESCRIPTION:

The ASI 1N415E is a Silicon Mixer

Diode Designed for Applications

Operating From 8.0 to 12.4 GHz.

FEATURES:

• High burnout resistance

• Low noise figure

• Hermetically sealed package

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

20 mA

1.0 V

P_DISS

T_J

2.0 ^(ERGS)@ T_C= 25 °C

-55 °C to +150 °C

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIM

UNITS

F = 9375 MHz

R_L= 100 Ω

P_lo= 1.0 mW

I_F= 30 MHz

N_Fif= 1.5 dB

f = 1000 Hz

7.5

V_SWR

Z_IF

1.3

R_L= 22 Ω

335

8.0

465

Ω

frange

12.4

GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1N4160B	NJSEMI	Diode Zener 18V 5% 1W 2-Pin DO-29	获取价格
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1N4160BTRLEADFREE	CENTRAL	Zener Diode, 8.2V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41,	获取价格