1N415E

更新时间： 2024-09-16 22:52:07

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ASI		微波混频二极管
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1页	19K
描述
SILICON MIXER DIODE

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1N415E 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-23
包装说明：	O-CEMW-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	其他特性：	MATCHED PAIR
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	X BAND TO KU BAND	最大阻抗：	465 Ω
最小阻抗：	335 Ω	JEDEC-95代码：	DO-23
JESD-30 代码：	O-CEMW-N2	最大噪声指数：	7.5 dB
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	MICROWAVE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	POINT CONTACT	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

1N415E 数据手册

1N415E

SILICON MIXER DIODE

PACKAGE STYLE DO- 23

DESCRIPTION:

The ASI 1N415E is a Silicon Mixer

Diode Designed for Applications

Operating From 8.0 to 12.4 GHz.

FEATURES:

• High burnout resistance

• Low noise figure

• Hermetically sealed package

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

20 mA

1.0 V

P_DISS

T_J

2.0 ^(ERGS)@ T_C= 25 °C

-55 °C to +150 °C

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIM

UNITS

F = 9375 MHz

R_L= 100 Ω

P_lo= 1.0 mW

I_F= 30 MHz

N_Fif= 1.5 dB

f = 1000 Hz

7.5

V_SWR

Z_IF

1.3

R_L= 22 Ω

335

8.0

465

Ω

frange

12.4

GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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