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1N4150

更新时间： 2024-11-16 14:55:47

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鲁光 - LGE		开关小信号开关二极管
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小信号开关二极管

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1N4150 技术参数

Case Style：	DO-35	IF（mA）：	200
Maximum recurrent peak reverse voltage：	50	TRR（nS)：	4
Maximum instantaneous forward voltage：	1	@IF（uA）：	0.2
Maximum reverse current：	0.1	@VR：
class：	Diodes

1N4150 数据手册

1N4150

Small Signal Switching Diodes

VOLTAGE RANGE: 50 V

CURRENT: 150 m A

DO - 35

Features

◇

Silicon epitaxial planar diode

◇

High speed switching diode

500 mW power dissipation

Mechanical Data

◇

Case: DO-35,glass case

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams

Dimensions in millimeters

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

MAXIMUM RATINGS

UNITS

1N4150

V_R

V_RM

I_O

Reverse voltage

Peak reverse voltage

Average forward rectified current V_R=0V

150

I_FSM

P_tot

R_thja

T_j

4.0

Forward surge current at t=1µs

Power dissipation

500

K/W

℃

500

Thermal resistance junction to ambient

Junction temperature

175

T_STG

-65 --- + 175

Storage temperature range

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MIN.

MAX.

UNITS

Forward voltage at I_F=1mA

I_F=10mA

0.54

0.66

0.76

0.82

0.87

0.62

0.74

0.86

0.92

1.0

V_F

I_F=50mA

I_F=100mA

I_F=200mA

0.1

Leakage current @V_R=50V,T_J=25℃

V_R=50V,T_J=150℃

I_R

µA

100

2.5

Capacitance at V_R=0V,f=1MH_Z,V_HF=50mV

Reverse recovery time

I_F=I_R=(10to100mA),i_R=0.1×I_R

R_L=100Ω

C_tot

t_rr

4.0

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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