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1N413BRE3

更新时间: 2024-11-21 20:10:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 PIN

1N413BRE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:METAL, DO-8, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-205AA
JESD-30 代码:O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流:1600 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N413BRE3 数据手册

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