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1N4112D

更新时间: 2024-02-06 18:31:42
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CENTRAL 测试二极管
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1页 65K
描述
Zener Diode, 18V V(Z), 1%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N4112D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.48 W标称参考电压:18 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:1%工作测试电流:0.25 mA
Base Number Matches:1

1N4112D 数据手册

  

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