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1N4103C

更新时间: 2024-11-20 20:28:15
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CENTRAL 测试二极管
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1页 65K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N4103C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.32
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:200 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%
工作测试电流:0.25 mABase Number Matches:1

1N4103C 数据手册

  

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