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1N4103

更新时间： 2024-11-25 14:48:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 331K
描述
9.1V,250mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level

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1N4103 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-XALF-W2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.1
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：200 ΩJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.25 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：9.1 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：0.25 mA
Base Number Matches：1

1N4103 数据手册

 浏览型号1N4103的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4103的Datasheet PDF文件第3页 
1N4099 THRU 1N4135  
SILICON ZENER DIODE  
LOW NOISE  
6.8 VOLT THRU 100 VOLT  
250mW, 5% TOLERANCE  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4099 series  
silicon Zener diode is designed for low leakage, low  
current, and low noise applications.  
MARKING: Devices shall either be marked with the  
prefix ‘C’ followed by the full part number or by the  
marking code in the Electrical Characteristics Table.  
DO-35 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
mW  
A
Power Dissipation  
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C) V =1.1V MAX @ I =200mA (for all types)  
A
F
F
ZENER  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
REVERSE  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
MAXIMUM  
ZENER  
CURRENT  
MAXIMUM  
NOISE  
DENSITY  
TEST  
CURRENT  
MARKING  
CODE  
V
@ I  
ZT  
Z
TYPE  
MIN  
V
NOM  
MAX  
V
I
Z
@ I  
Ω
I
@
V
V
I
N
@ 250μA  
D
ZT  
ZT  
ZT  
R
R
ZM  
V
ꢀA  
ꢀA  
mA  
ꢀV/ Hz  
1N4099  
1N4100  
1N4101  
1N4102  
1N4103  
1N4104  
1N4105  
1N4106  
1N4107  
1N4108  
1N4109  
1N4110  
1N4111  
1N4112  
1N4113  
1N4114  
1N4115  
1N4116  
1N4117  
1N4118  
1N4119  
1N4120  
1N4121  
6.460  
7.125  
7.790  
8.265  
8.645  
9.50  
6.8  
7.5  
8.2  
8.7  
9.1  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
22  
24  
25  
27  
28  
30  
33  
7.140  
7.875  
8.610  
9.135  
9.555  
10.50  
11.55  
12.60  
13.65  
14.70  
15.75  
16.80  
17.85  
18.90  
19.95  
21.00  
23.10  
25.20  
26.25  
28.35  
29.40  
31.50  
34.65  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
100  
100  
100  
100  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
200  
200  
200  
10  
10  
5.2  
5.7  
35.0  
31.8  
29.0  
27.4  
26.2  
24.8  
21.6  
20.4  
19.0  
17.5  
16.3  
15.4  
14.5  
13.2  
12.5  
11.9  
10.8  
9.9  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
C4099  
C4100  
C4101  
C4102  
C4103  
C4104  
C4105  
C4106  
C4107  
C4108  
C4109  
C4110  
C4111  
C4112  
C4113  
C4114  
C4115  
C4116  
C4117  
C4118  
C4119  
C4120  
C4121  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
6.3  
6.7  
7.0  
7.6  
10.45  
11.40  
12.35  
13.30  
14.25  
15.20  
16.15  
17.10  
18.05  
19.00  
20.90  
22.80  
23.75  
25.65  
26.60  
28.50  
31.35  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
8.5  
9.2  
9.9  
10.7  
11.4  
12.2  
13.0  
13.7  
14.5  
15.2  
16.8  
18.3  
19.0  
20.5  
21.3  
22.8  
25.1  
9.5  
8.8  
8.5  
7.9  
7.2  
R2 (6-December 2019)  
123

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1N4103 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4103 MICROSEMI

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 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES
JANTXV1N4103C MICROSEMI

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与1N4103相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4103(DO35) MICROSEMI

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 		Zener Voltage Regulator Diode
1N4103(DO35)E3 MICROSEMI

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1N4103/TR MICROSEMI

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1N4103-1 CDI-DIODE

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 		LOW CURRENT OPERATION AT 250 uA
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 		SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
1N4103C CENTRAL

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