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1N4005W

更新时间： 2024-12-01 18:04:43
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
5页 258K
描述
Reverse Voltage Vr : 600 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 25 A;Forward Voltage Vf : 1.0 V;Reverse Current Ir : 1.0 uA;Recovery Time :;Package / Case : SOD-123F(L);Mounting Style : SMD/SMT

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1N4005W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N4005W 数据手册

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1N4001W  
THRU  
1N4007W  
SURFACE MOUNT  
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Glass passivated device  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* P/N suffix V means AEC-Q101 qualifiedꢀ e.g:1N4001WV  
* P/N suffix V means Halogen-free  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Cathode  
2
Anode  
MECHANICAL DATA  
1
2
*
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
TopꢀView  
MarkingꢀCode͹ꢀA1-A7  
SimplifiedꢀoutlineꢀSOD-123F(Lꢀ) anꢀd symbol  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
resistive or inductive load.  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
1N4001W  
1N4002W  
100  
1N4003W  
200  
1N4004W  
400  
1N4005W 1N4006W 1N4007W UNITS  
RATINGS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
70  
140  
280  
100  
200  
400  
Maximum DC Blocking Voltage  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at Ambient Temperature  
IO  
1.0  
30  
Amps  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
Current Squarad Time  
I2  
t
3.7  
90  
A2/Sec  
0C/W  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
R
J A  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
TJ  
8
pF  
0 C  
0 C  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
TSTG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
1N4001W  
1N4002W  
1N4003W  
1N4004W  
1.1  
1N4005W 1N4006W 1N4007W  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
SYMBOL  
VF  
UNITS  
Volts  
uA  
@TA = 25oC  
Maximum Average Reverse Current  
5.0  
IR  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 150oC  
1.0  
mA  
2020-01  
REV:C  
NOTES : 1. Thermal Resistance :Mounted on PCB.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
12345

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与1N4005W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4005WA AITSEMI

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 		RECTIFIER DIODE REVERSE VOLTAGE 50V TO 1000V FORWARD CURRENT 1A
1N4005WS MDD

获取价格

 		SURFACE MOUNT GENERAL RECTIFIER
1N4005W-T RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
1N4005WV RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
1N4005WV-T RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
1N4005WV-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
1N4005W-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
1N4006 YANGJIE

获取价格

 		1.0 AMP. SILICON RECTIFIERS
1N4006 NXP

获取价格

 		Rectifiers(Rugged glass package, using a high temperature alloyed construction)
1N4006 TYSEMI

获取价格

 		Low reverse leakage High forward surge capability unless otherwise specified.

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