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1N4005S

更新时间： 2024-01-23 13:02:42

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描述
1.0AMP . SILICON RECTIFIERS

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1N4005S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.58	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N4005S 数据手册

1N4001S THRU 1N4007S

1.0AMP . SILICON RECTIFIERS

A-405

FEATURE

.High current capability

.Low forward voltage drop

.Low power loss, high efficiency

.High surge capability

.551(14.0)

MIN.

.107(2.7)

.080(2.0)

DIA.

.High temperature soldering guaranteed

260°C /10sec/ 0.375" lead length at 5 lbs tension

.Φ0.6mm leads

.205(5.2)

.166(4.2)

MECHANICAL DATA

.030(0.75)

DIA.

.Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

.021(0.53)

.551(14.0)

MIN.

.Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized

Flame Retardant Epoxy

.Polarity: color band denotes cathode

.Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Type Number

SYMBOL

units

4001S 4002S 4003S 4004S 4005S 4006S 4007S

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

1000

700

100

Maximum DC blocking Voltage

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) lead length at T_A=55°C

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC

method)

I_F(AV)

1.0

I_FSM

30.0

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum Forward Voltage at 3.0A DC

V_F

1.0

1.3

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

@T_A=25°C

5.0

I_R

µA

@T_A=100°C

100.0

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Storage Temperature

C_J

R_(JA)

T_STG

T_J

°C/W

°C

-55 to +150

°C

Operation Junction Temperature

Note:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375"（9.5mm）lead length, vertical P.C. Board Mounted.

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