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1N4004S

更新时间： 2024-02-14 15:17:07

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描述
1.0AMP . SILICON RECTIFIERS

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1N4004S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4004S 数据手册

1N4001S THRU 1N4007S

1.0AMP . SILICON RECTIFIERS

A-405

FEATURE

.High current capability

.Low forward voltage drop

.Low power loss, high efficiency

.High surge capability

.551(14.0)

MIN.

.107(2.7)

.080(2.0)

DIA.

.High temperature soldering guaranteed

260°C /10sec/ 0.375" lead length at 5 lbs tension

.Φ0.6mm leads

.205(5.2)

.166(4.2)

MECHANICAL DATA

.030(0.75)

DIA.

.Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

.021(0.53)

.551(14.0)

MIN.

.Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized

Flame Retardant Epoxy

.Polarity: color band denotes cathode

.Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Type Number

SYMBOL

units

4001S 4002S 4003S 4004S 4005S 4006S 4007S

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

1000

700

100

Maximum DC blocking Voltage

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

.375"(9.5mm) lead length at T_A=55°C

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC

method)

I_F(AV)

1.0

I_FSM

30.0

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum Forward Voltage at 3.0A DC

V_F

1.0

1.3

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

@T_A=25°C

5.0

I_R

µA

@T_A=100°C

100.0

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Storage Temperature

C_J

R_(JA)

T_STG

T_J

°C/W

°C

-55 to +150

°C

Operation Junction Temperature

Note:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375"（9.5mm）lead length, vertical P.C. Board Mounted.

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