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1N4004.TR

更新时间： 2024-02-02 16:01:30

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41,

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1N4004.TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.08	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4004.TR 数据手册

1N4001 - 1N4007

Features

• Low forward voltage drop.

• High surge current capability.

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

General Purpose Rectifiers (Glass Passivated)

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007

V_RRM

I_F(AV)

Peak Repetitive Reverse Voltage

100

200

400

600

800 1000

Average Rectified Forward Current,

.375 " lead length @ T_A= 75°C

Non-repetitive Peak Forward Surge

Current

1.0

I_FSM

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

Storage Temperature Range

-55 to +175

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

3.0

R_θJA

°C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Device

Units

4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007

V_F

I_rr

Forward Voltage @ 1.0 A

1.1

Maximum Full Load Reverse Current, Full

µA

Cycle

T_A= 75°C

I_R

5.0

500

Reverse Current @ rated V_RT = 25 C

T = 100 C

C_T

Total Capacitance

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4001-1N4007, Rev. C

12 3

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