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Datasheet > 暂无类别数据> 1N4003G-T3-LF
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1N4003G-T3-LF

更新时间： 2024-01-08 17:00:55
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
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1N4003G-T3-LF 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.01
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N4003G-T3-LF 数据手册

 浏览型号1N4003G-T3-LF的Datasheet PDF文件第2页 
Glass Passivated Standard Rectifier  
1N4001G THRU 1N4007G  
Current: 1A  
Votlage: 50 ~ 1000V  
DO-41  
.034(.86)  
.028(.71)  
Features  
DIA.  
ꢀ Low forward voltage drop  
1.0(25.4)  
MIN.  
ꢀ High current capability  
ꢀ Low reverse leakage current  
ꢀ High Surge current capability  
.205(5.2)  
.160(4.1)  
Mechanical Data  
.107(2.7)  
DIA.  
.080(2.0)  
ꢀ Case: Molded plastic DO-41  
1.0(25.4)  
ꢀ Epoxy: UL 94-0 rate flame retardant  
MIN.  
ꢀ Terminal: Solderable per MIL-STD-202  
method 208 guaranteed  
ꢀ Polarity: Color band denotes cathode end  
Dimensions in inches and (millimeters)  
ꢀ Mounting position: Any  
ꢀ Weight: 0.34 gram  
Maximum Rating and Electrical Characteristics  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or  
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
SYMBOL  
UNIT  
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified  
Current TL=55oC  
I(AV)  
IFSM  
VF  
1.0  
A
A
V
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
30  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 1.0 A  
1.1  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC  
5.0  
uA  
uA  
IR  
100  
Typical junction Capacitance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
CJ  
10  
45  
pF  
oC/W  
R
JA  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
oC  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
NOTES : (1) Thermal Resistance junction to lead.  
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
“-G” suffix designates RoHS compliant Version  
12

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