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1N4003-B

更新时间： 2024-01-05 10:00:39

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RECTRON		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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1N4003-B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH CURRENT CAPABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N4003-B 数据手册

1N4001

THRU

RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

1N4007

SILICON RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere

FEATURES

* Low cost

* Low leakage

* Low forward voltage drop

* High current capability

DO-41

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

* Mounting position: Any

.034 (0.9)

DIA.

.028 (0.7)

1.0 (25.4)

MIN.

* Weight: 0.33 gram

.205 (5.2)

.166 (4.2)

.107 (2.7)

DIA.

.080 (2.0)

1.0 (25.4)

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

RATINGS

SYMBOL

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 UNITS

RRM

RMS

Volts

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

1.0

Amps

at TA

= 75^oC

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

FSM

Typical Junction Capacitance (Note)

Typical Thermal Resistance

⁰C/ W

⁰C

R θ J A

, TSTG

-55 to + 150

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA

= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 UNITS

CHARACTERISTICS

1.1

5.0

Volts

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

= 25^oC

= 100^oC

uAmps

Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle

.375” (9.5mm) lead length at T

= 75^oC

NOTES : Measured at 1 MH and applied reverse voltage of 4.0 volts

uAmps

2002-11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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