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1N4001GT/R

更新时间: 2024-11-19 13:03:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 42K
描述
1A, 50V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4001GT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.58
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:E-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4001GT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
1N4001G to 1N4007G  
Rectifiers  
1996 May 24  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

与1N4001GT/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4001-GT3 SENSITRON

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG
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Reverse Voltage Vr : 50 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 30 A;Forward Volt
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1N4001H02-1 RECTRON

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN