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1N4001G

更新时间： 2024-10-15 14:51:55
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4页 41K
描述
Axial

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1N4001G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.03
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N4001G 数据手册

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®
1N4001G – 1N4007G  
1.0A GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
A
B
A
High Surge Current Capability  
Mechanical Data  
C
Case: DO-41, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.35 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-41  
Dim  
A
Min  
25.4  
4.06  
0.71  
2.00  
Max  
—
B
5.21  
0.864  
2.72  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1) @TA = 75°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
30  
A
Forward Voltage  
@IF = 1.0A  
VFM  
IRM  
CJ  
1.0  
V
µA  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
5.0  
50  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
8.0  
pF  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)  
RθJA  
RθJL  
50  
25  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4001-G COMCHIP

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 		General Purpose Rectifier
1N4001G_05 EIC

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS
1N4001G_06 GOOD-ARK

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 		1.0A GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE
1N4001G_09 SECOS

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 		1.0 A, General Purpose Plastic Rectifiers
1N4001G_1 GOOD-ARK

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1N4001G_11 TSC

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1N4001G_12 DIODES

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIERS
1N4001G_15 GOOD-ARK

获取价格

 		Glass Passivated Junction Rectifiers Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0

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