5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 6 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向电流： | 15 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3883RPBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N3885 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 100V V(RRM) |
|
| 1N3886 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 200V V(RRM) |
|
| 1N3888 | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 400V V(RRM) |
|
| 1N3889 | MICROSEMI |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifier |
|
| 1N3889 | INFINEON |
获取价格 |
FAST RECOVERY DIODES |
|
| 1N3889 | VISHAY |
获取价格 |
Fast Recovery Diodes(Stud Version) |
|
| 1N3889 | AMERICASEMI |
获取价格 |
High Power- Fast Recovery Rectifiers |
|
| 1N3889 | NJSEMI |
获取价格 |
STUD MOUNTED FAST RECOVERY POWER RECTIFIERS |
|
| 1N3889_07 | MICROSEMI |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifier |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
