5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.26 |
| 其他特性： | LOW IMPEDANCE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 8.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 10 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3516TR | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3516TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3516TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3517 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 9.1V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |
|
| 1N3517 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N3517 | CENTRAL |
获取价格 |
9.1V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Standard |
|
| 1N3517A | MICROSEMI |
获取价格 |
ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| 1N3517AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS P |
|
| 1N3517BK | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3517E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
