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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.26 | 其他特性： | LOW IMPEDANCE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 5 Ω | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 8.2 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 10 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3516A | MICROSEMI |
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ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| 1N3516BK | CENTRAL |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3516E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
|
| 1N3516LEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3516TR | CENTRAL |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3516TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3516TR-RMCU | CENTRAL |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3517 | NJSEMI |
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Diode Zener Single 9.1V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |
|
| 1N3517 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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| 1N3517 | CENTRAL |
获取价格 |
9.1V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Standard |
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