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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-8 | 包装说明： | METAL, DO-8, 1 PIN |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.46 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-205AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1600 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 100 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3295SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| 1N3295SR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| 1N3296 | NAINA |
获取价格 |
SILICON POWER DIODE |
|
| 1N3296 | TRSYS |
获取价格 |
High Current Rectifier |
|
| 1N3296 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3296 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 1.2KV 150A 2-Pin DO-8 |
|
| 1N3296A | NJSEMI |
获取价格 |
Rectifiers Standard Recovery |
|
| 1N3296A | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3296A/AR | ASI |
获取价格 |
Diode, |
|
| 1N3296AF | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), |
|
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