生命周期: | Active | 包装说明: | O-MUPM-H1 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.26 |
Is Samacsys: | N | 应用: | POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.9 V | JEDEC-95代码: | DO-8 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 | 最大非重复峰值正向电流: | 1600 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 100 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3289RA | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, | |
1N3289S | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N3289SR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
1N329 | NJSEMI |
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Diode 300V 275A 2-Pin DO-9 | |
1N3290 | NAINA |
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SILICON POWER DIODE | |
1N3290 | NJSEMI |
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Diode Switching 300V 125A 2-Pin DO-8 | |
1N3290 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier | |
1N3290 | TRSYS |
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High Current Rectifier | |
1N3290A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 300V V(RRM), Silicon, DO-205AA | |
1N3290A | NJSEMI |
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Rectifiers Standard Recovery |