5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5000 A | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 190 °C | 最大输出电流： | 275 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 350 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3267 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3267 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 160A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N3267 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 400V 275A 2-Pin DO-9 |
|
| 1N3267E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N3267IL | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3267ILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N3267R | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 160A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N3267R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N3267RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N3267RIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
