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1N3206

更新时间: 2024-09-19 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
PELLET DIODES

1N3206 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:E-PALF-W2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.92Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:E-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.01 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.025 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3206 数据手册

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