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1N3155

更新时间: 2024-01-12 01:34:19
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿测试
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2页 76K
描述
8.4 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N3155 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:8.4 V最大反向电流:10 µA
反向测试电压:5.5 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.42 mV/ °C最大电压容差:4.76%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

1N3155 数据手册

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