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1N2997B

更新时间: 2024-11-17 22:35:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
SILICON 10 WATT ZENER DIODES

1N2997B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.14
Is Samacsys:N外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:15 Ω
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:10 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:51 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:50 mA
Base Number Matches:1

1N2997B 数据手册

 浏览型号1N2997B的Datasheet PDF文件第2页 

1N2997B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N2997A MICROSEMI

完全替代

10 WATT ZENER DIODES
NTE5210A NTE

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