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1N2971RBE3

更新时间: 2024-12-01 14:37:07
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美高森美 - MICROSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 447K
描述
Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-4, 1 PIN

1N2971RBE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-4包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.15Is Samacsys:N
其他特性:PD-CASE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:1.3 Ω
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:10 W标称参考电压:7.5 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:PURE MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:335 mABase Number Matches:1

1N2971RBE3 数据手册

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