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1N2970B

更新时间: 2024-09-20 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
SILICON 10 WATT ZENER DIODES

1N2970B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.14
Is Samacsys:N外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:10 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.8 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:370 mA
Base Number Matches:1

1N2970B 数据手册

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