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1N2846B

更新时间: 2024-09-28 22:37:31
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
SILICON 50 WATT ZENER DIODES

1N2846B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-3
包装说明:O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.16
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:TO-204ADJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:600 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:50 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:200 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:200 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:65 mA
Base Number Matches:1

1N2846B 数据手册

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1N2846B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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