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1N2827B

更新时间: 2024-01-07 10:06:52
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试局域网
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2页 120K
描述
SILICON 50 WATT ZENER DIODES

1N2827B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-MBFM-P2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.67其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:4.5 Ω最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3膝阻抗最大值:90 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:50 W
标称参考电压:43 V最大反向电流:5 µA
反向测试电压:32.7 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:38.7 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:290 mA
Base Number Matches:1

1N2827B 数据手册

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